PASR (Partial Array Self-Refresh)
Each DRAM memory cell consists of one MOS transistor and one capacitor to store bit using an external electronic charge. Because electrical current will leak from the capacitor over time, capacitors must be refreshed periodically to maintain data integrity.
The self-refresh operation, which deactivates the clock to reduce device power consumption, is automatically executed at certain intervals. Self-refresh mode will be effective to maintain data integrity when the DRAM memory cell was not accessed for a long period.
PASR is the specific mode that Mobile RAM commonly consists of four banks as the full memory cell arrays. Refresh operations are not performed across the full memory cell arrays but only to specific banks where data retention is requires, such as one or two banks. Data storage outside the defined refresh area will not to be retained. This PASR can help to reduce the self-refresh current to achieve lower power consumption function.
Overview of PASR
TCSR (Temperature Compensated Self-Refresh)
The data retention characteristics of DRAM cells depend on temperature.
When the temperature is high, the self-refresh operation will execute in a short period to prevent data loss and power consumption will increase. In contrast, when the temperature is low, data can be retained even the interval of self-refresh operation is long.
Overview of TCSR and Auto TCSR
DPD (Deep Power Down)
When the device was not accessed (read/write) for a long period, power consumption can be reduced by activating a power down mode. Under the power down mode, all input buffers are turned off except the clock and the clock enable.
Технологии регенерации памяти экономят ресурсы аккумуляторных батарей
Основные направления развития индустрии DRAM базируются на том, что наряду с увеличением ёмкости запоминающих устройств и ростом их производительности на повестке дня стоят также дальнейшая миниатюризация и борьба за снижение потребляемой мощности. В этой связи в последние несколько лет набрала ходу практика расширения функциональности элементов динамической памяти, напрямую не связанная с главными потребительскими качествами DRAM. Давайте рассмотрим ряд инициатив, внедрение которых уже можно считать свершившимся фактом.
Технология частичной регенерации памяти
Как уменьшить скорость разряда аккумуляторной батареи «уснувшей» платформы, не увеличивая время выхода устройства на режим готовности?
Один из методов состоит в интеллектуальном анализе информации, сохраняемой в динамической памяти с последующим выделением данных, которые должны быть сохранены. Если объем этих данных существенно меньше общего объема запоминающей матрицы DRAM, регенерацию памяти можно выполнить частично, сэкономив потребление электрической мощности. Это и есть технология частичной регенерации памяти — PASR (Partial Array Self Refresh), которая обеспечивает снижение мощности, потребляемой запоминающим устройством в режиме автономной регенерации при отсутствии операций чтения и записи.
Как известно, в основе дизайна энергосберегающих состояний для стационарных и, особенно, мобильных платформ, лежит поиск компромисса между двумя взаимно-противоречивыми критериями:
- Минимизация уровня электрической мощности, потребляемой устройством в режиме «сна».
- Минимизация длительности интервала времени, необходимого для возврата в рабочий режим.
Очевидно, чем глубже «сон», тем меньшую мощность потребляет платформа, что особенно важно для устройств с батарейным питанием. А платить за сэкономленные ватты приходится увеличением латентности или интервала времени, необходимого для «пробуждения».
Рис 1. Технология PASR (Partial Array Self Refresh) обеспечивает снижение мощности,
потребляемой запоминающим устройством
Разделение запоминающей матрицы на регенерируемые и не регенерируемые области основано на внутренней топологии DRAM, в частности логических банках (не путать с физическими банками, здесь речь о внутренних банках микросхем памяти). В основе технологии PASR лежит принцип опционального включения или выключения регенерации индивидуально для каждого из логических банков.
Рис 2. Зависимость потребляемого тока от количества регенерируемых логических банков
Таблица наглядно демонстрирует зависимость потребляемого тока от количества регенерируемых логических банков для одной микросхемы динамического ОЗУ объемом 64, 128 и 256 мегабит. Очевидно, значения оценочные и должны уточняться согласно Data Sheet на каждую конкретную микросхему динамической памяти.
Рис 3. Количеством регенерируемых логических банков управляют
специальные команды, осуществляющие запись в регистр Extended Mode Register
Описание команды, управляющей количеством регенерируемых логических банков. При передаче команд, состояние адресных битов интерпретируется как управляющая информация, поступающая в регистр Extended Mode Register. Контроллер может задавать 3 режима: полная регенерация (все 4 банка), 2 банка, 1 банк. Отметим, что режим регенерации трех банков не поддерживается в этой реализации.
Технология «глубокого сна»
Технология DPD (Deep Power Down) позволяет полностью отключать процессы регенерации для всех банков микросхемы DRAM. Очевидно, потребление электрической мощности в этом случае минимизировано, сохранность информации не обеспечивается.
Рис 4. Технология «глубокого сна» позволяет полностью отключать процессы регенерации памяти
Отметим, что режим DPD не тождественен полному отключению питания микросхемы DRAM, в том числе с точки зрения длительности интервала времени, необходимого для возврата в рабочий режим.
Рис 5. Диаграмма процедуры возобновления функциональности DRAM при выходе из режима «глубокого сна»
Для возврата в него контроллер подает высокий логический уровень на линию CKE (Clock Enable), после этого требуется повторная инициализация регистров управления.
Резюме
Рассматривая сказанное в терминах ACPI, отметим, что если технология PASR ориентирована на реализацию режима Suspend to RAM, в котором содержимое ОЗУ, либо его части, сохраняется, и образ операционной системы также находится в ОЗУ, то режим «глубокого сна» ассоциируется с энергосберегающим режимом Suspend to Disk, когда содержимое ОЗУ не сохраняется, а образ памяти ОС находится на диске.
Не используется все плашки оперативной памяти (2 из 4)
Ситуация в том что система видит все 4 плашки памяти, но используется лишь две. В какой именно момент перестали работать оценить точно не могу, возможно после отключения электричества (подозреваю сбой в настройках питания/частоты)
Теперь по порядку.
Установлена система вин 7х64
4 плашки по 2 гига.
но используется только две.
материнка гигабайт P55-UD3L (ver 2.0 биос FI) (в биосе показывает что используется только первый и второй DIMM
при этом если смотреть в AIDA 64 то из 4 слотов, в одном какие то странные параметры частоты
ПолеЗначение
Свойства модуля памяти
Имя модуляOCZ OCZ3V1333LV2G
Серийный номерНет
Размер модуля2 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуляUnbuffered DIMM
Тип памятиDDR3 SDRAM
Скорость памятиDDR3-1066 (533 МГц)
Ширина модуля64 bit
Напряжение модуля1.5 V
Метод обнаружения ошибокНет
Частота регенерацииНорма (7.8 us)
Тайминги памяти
@ 533 МГц8-7-7-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-59-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц7-7-7-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-59-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц6-6-6-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-51-4-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц5-5-5-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-42-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR)Поддерживается
DLL-Off ModeНе поддерживается
Extended Temperature RangeНе поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh RateНе поддерживается
Module Thermal SensorНе поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS)Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR)Не поддерживается
RZQ/6Поддерживается
RZQ/7Поддерживается
Производитель модуля памяти
ФирмаOCZ Technology Group, Inc.
Пример того который выделяется
ПолеЗначение
Свойства модуля памяти
Имя модуляOCZ OCZ3V1333LV2G
Серийный номерНет
Размер модуля2 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуляUnbuffered DIMM
Тип памятиDDR3 SDRAM
Скорость памятиDDR3-1066 (533 МГц)
Ширина модуля64 bit
Напряжение модуля1.5 V
Метод обнаружения ошибокНет
Частота регенерацииНорма (7.8 us)
Тайминги памяти
@ 250 МГц8-8-8-129 (CL-RCD-RP-RAS) / 129-2056-8-8-8-8-129 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 219 МГц7-7-7-113 (CL-RCD-RP-RAS) / 113-1799-7-7-7-7-113 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 188 МГц6-6-6-97 (CL-RCD-RP-RAS) / 97-1542-6-6-6-6-97 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 156 МГц5-5-5-81 (CL-RCD-RP-RAS) / 81-1285-5-5-5-5-81 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR)Поддерживается
DLL-Off ModeПоддерживается
Extended Temperature RangeПоддерживается
Extended Temperature 1X Refresh RateПоддерживается
Module Thermal SensorНе поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS)Поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR)Поддерживается
RZQ/6Поддерживается
RZQ/7Поддерживается
Производитель модуля памяти
ФирмаOCZ Technology Group, Inc.
Все 4 плашки одинаковые, DDR3 PC10666 2GB OCZ Value OCZ3V1333LV2G 9-9-9 1.65v
Auto Self Refresh (ASR) поддерживается что это?
Приветствую друзья! Сегодня мы поговорим про технологию, которую можно встретить в планках оперативной памяти.
Auto Self Refresh (ASR) — что это?
Поддержка энергосберегающего режима. В простое меньше кушает энергии.
Но на самом деле экономия минимальная, ватта нет и близко — милливатты. Поэтому если поддерживает планка то хорошо, а если нет то совсем некритично.
Не все производители памяти поддерживают эту функцию, например Kingston — поддерживает, а Elpida — нет.
Другая версия — Auto Self Refresh это частота регенерации памяти, то есть обновление заряда ячеек. Чем меньше значение, тем устойчивее работает память (данные не теряет), но чуть медленнее, чем при больших значения. Возможно эта версия относится к опции в биосе (если существует вообще).
Поддерживается опция или нет можно проверить программно, например в AIDA64:
Partial Array Self Refresh (PASR) — что это?
Технология частичной регенерации памяти, обеспечивающая снижение мощности, которая потребляется планкой памяти в режиме автономной регенерации при отсутствии операций чтения и записи.
Технология позволяет уменьшить скорость разряда аккумулятора уснувшей платформы (как понимаю имеется ввиду спящий режим).
Так в чем заключается суть технологии? Технология интеллектуально анализирует данные, которые сохранены в памяти с последующим выделением тех данных, которые должны быть сохранены. Если обьем этих данных намного меньше обьема запоминающей матрицы DRAM, тогда можно выполнить регенерацию памяти частично, сэкономив при этом потребление.
Заключение
- Auto Self Refresh (ASR) — поддержка энергосберегающего режима.
Когда будете покупать оперативную память, то можете спросить еще совместима ли планка с поддержкой Auto Self Refresh с обычными планками. Однако, мне кажется что да, так как эта технология — лично планки памяти, не материнки, а именно планки.